6月18日上午，美国凯斯西储大学高翾教授应邀到材料所进行学术交流，并作了题为“Topological insulators from bottom up”的报告。稀土磁性功能材料实验室杜娟等科研人员参加了报告会。 

　　拓扑绝缘体是一种新型量子材料，是具有可传导的无带隙表面态和带隙绝缘本体。具有高比表面积的纳米结构材料成为研究拓扑材料拓扑表面态的热点，但由于纳米材料缺陷引起的非故意掺杂却使材料本体具有大容量高导流能力。报告中，高翾讨论了不同纳米结构的化学合成和电子输运的研究，包括Bi₂Se₃,Bi₂Te₃等硫属化合物的纳米线、纳米带、纳米盘、纳米片，讲述了最著名的三元拓扑绝缘体。他强调已通过传送三元硫属化物纳米结构实现对无带隙拓扑材料表面态的Dirac费米子态的调控，同时室温观测到一种新的二维性质的线性磁电阻效应。高翾还同科研人员就所关心的问题进行了深入交流。   

　　高翾，1998年毕业于华南理工大学，获应用物理学专业学士学位。同年赴美国哥伦比亚大学攻读博士学位，并于2003年获得博士学位，其博士论文被哥伦比亚大学应用物理系和应用数学系评为最优秀论文并获得罗伯特西蒙纪念奖。2003年至2007年，先后在洛斯阿拉莫斯国家实验室（合作导师Greg Boebinger教授）和哈佛大学（合作导师Charles Lieber教授）做博士后。现为美国凯斯西储大学物理系副教授，研究领域涵盖低维电子系统传输和多体物理；纳米材料与器件的定量合成，基础理解和基础工程。曾获多个国际奖项及荣誉，其中包括IOCPA的杰出青年科学家奖。 

                                                                               （稀土磁性功能材料实验室）