中国科学院宁波材料技术与工程研究所

具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法

专利名称:具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器及其制作方法
专利(申请)号:CN202011078799.8
申请日期:2020-10-10
授权日期:2024-08-06 00:00:00
发明人:崔梅; 郭炜; 叶继春; 张耀华; 柯强
其他发明人:
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 宁波升谱光电股份有限公司