具有斜面沟槽集成的氧化镓功率二极管
专利名称:具有斜面沟槽集成的氧化镓功率二极管
专利(申请)号:CN202410487236.6
申请日期:2024-04-23
授权日期:2024-07-30 00:00:00
发明人:刘宁涛; 张文瑞; 叶继春; 蔺浩博
其他发明人:
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利(申请)号:CN202410487236.6
申请日期:2024-04-23
授权日期:2024-07-30 00:00:00
发明人:刘宁涛; 张文瑞; 叶继春; 蔺浩博
其他发明人:
专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所