5月31日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所霍军涛研究员邀请，中国科学院半导体研究所骆军委研究员来访宁波材料所，并作了题为《后摩尔硅器件半导体前沿物理》的学术报告。

针对当前CMOS器件尺寸不断逼近物理极限、传统摩尔定律逐渐放缓的发展趋势，报告系统介绍了后摩尔时代半导体领域面临的关键科学问题与前沿研究进展。骆军委研究员从国际半导体技术发展路线出发，分析了当晶体管特征尺寸缩减至纳米尺度后所面临的接触电阻、载流子输运、高介电材料以及器件结构创新等核心挑战，并围绕“延续摩尔（More Moore）”“扩展摩尔（More Than Moore）”和“超越摩尔（Beyond Moore）”三个发展方向，介绍了团队近年来在硅基器件物理研究方面取得的重要成果。包括利用量子尺寸效应解决接触电阻问题的新方案、GAA（全环绕栅）晶体管空穴迁移率退化机制研究，以及面向高介电材料和铁电晶体管的新理论探索。报告结束后，与会人员围绕半导体器件尺度效应、量子输运机制、先进晶体管结构设计等问题展开了热烈讨论和深入交流。

骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体芯片物理与技术全国重点实验室主任。2019年获国家杰出青年科学基金资助（2025年获延续资助），2021年获中国科学院首批稳定支持青年团队资助。长期从事半导体物理与器件物理研究，在解决硅基发光世界难题和硅基量子计算材料方面取得多项原创性研究成果。已发表学术论文140余篇，包括发表于《Nature》《Nature Physics》《Nature Nanotechnology》《Physical Review Letters》《Nature Communications》《Science Advances》《Proceedings of the National Academy of Sciences》等国际高水平学术期刊的研究工作，并担任多个国际学术会议重要职务。

报告现场

（磁性材料及应用实验室 候懿宸）